| 型号：NP80N055PDG-E1B-AY | 类别：FET - 单 | 制造商：Renesas Electronics America |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 80A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 135nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 6900pF @ 25V |
| 功率_最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 包装 | Digi-Reel® |
供应商
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳山琅电子科技有限公司 | 刘红样086-755-83229865 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
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